发明名称 非挥发性半导体记忆体
摘要 一种非挥发性半导体记忆体,根据本发明包括记忆胞单元,其包括彼此平行的资料选择线、跨越资料选择线并彼此平行的资料传输线、以及电力可改写的记忆胞电晶体放置在资料传输线与资料选择线的交点上。其进一步包括一个记忆胞阵列区块,其中记忆胞单元会沿着资料选择线放置;第一源极线连接到记忆胞单元的一端,并对准资料选择线,以及第二源极线电性连接到第一源极线,并沿着资料选择线放置。
申请公布号 TW200520209 申请公布日期 2005.06.16
申请号 TW093133448 申请日期 2004.11.03
申请人 东芝股份有限公司 发明人 本实利;野口充宏;前洋;原毅彦
分类号 H01L27/115;H01L21/768 主分类号 H01L27/115
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 日本
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