利用硝酸氧化技术制造金属氧化层之方法

摘要

本发明系提供一种利用硝酸氧化技术制造金属氧化层之方法，其包含下列步骤：a)提供一半导体基板；b)在该半导体基板表面成长一超薄二氧化矽薄膜；c)在该二氧化矽薄膜上沈积一金属薄膜；d)以硝酸氧化技术将该金属薄膜氧化成一金属氧化层；以及e)以高温退火处理该金属氧化层。