危险图形抽出方法、程序和半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供一种从用来制作在光刻工序中使用的光掩模的掩模数据中抽出危险图形的危险图形抽出方法，至少包括：以在上述掩模数据中作为判定对象的着眼部分为基准从上述掩模数据中抽出处于预定的范围内的周边部分的掩模数据，把构成上述周边部分的各个部分定义为参照部分，在上述光刻工序中，借助于模拟计算从上述各个参照部分发生的工序发生量，用上述工序发生量和上述着眼部分与上述参照部分间的距离进行预定的运算，进行在上述预定的运算中所得到的运算值在上述预定的范围内的面积分或与之等同的运算，计算工序影响因子量，上述工序影响因子量与预定的阈值进行比较。

主权项

1.一种从用来制作在光刻工序中使用的光掩模的掩模数据中抽出危险图形的危险图形抽出方法，其特征在于：至少包括：以在上述掩模数据中作为判定对象的着眼部分为基准从上述掩模数据中抽出处于预定的范围内的周边部分的掩模数据，把构成上述周边部分的各个部分定义为参照部分，在上述光刻工序中，借助于模拟计算从上述各个参照部分发生的工序发生量，用上述工序发生量和上述着眼部分与上述参照部分间的距离进行预定的运算，进行在上述规定的运算中所得到的运算值在上述预定的范围内的面积分或与之等同的运算，计算工序影响因子量，将上述工序影响因子量与预定的阈值进行比较。