半导体器件及其制作方法

摘要

本发明目的是获得具有良好的特性的薄膜晶体管。使镍元素与非晶质膜203的特定的区域205保持选择性地接连。采用施行加热处理的办法使之结晶化，再在含卤族元素的氧化性气氛中施行加热处理的办法形成热氧化膜。这时进行结晶性的改善和镍元素的吸杂。这种结晶性硅膜将变成具有从多点放射状地进行了结晶生长的那样的构造。于是可得到具有良好的特性的TFT。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，其特征在于该方法包括以下步骤：在一绝缘表面上形成一非晶硅膜；通过促进硅的结晶过程的一种金属元素的作用使所述非晶硅膜结晶，从而获得一结晶硅膜，在含有卤素元素的氧化环境、800-1100℃的条件下进行热处理，以在所述结晶硅膜的表面上形成第一热氧化膜；除去所述第一热氧化膜；和在所述结晶硅膜的表面上形成第二热氧化膜，从而获得最终的含有从多个点放射状生长的晶体的结晶硅膜。