| 发明名称 | 可重写光学存储介质和这种介质的使用 | ||
| 摘要 | 描述了一种可重写的光学存储介质(10)，其包括基片(1)、第一电介质层(2)、Ge－Sb－Te基础上的相位变化记录层(3)、第二电介质层(4)和金属反射层(5)。记录层(3)是具有以原子％表示的组分Ge<SUB>x</SUB>Sb<SUB>y</SUB>Te<SUB>z</SUB>的合金，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100，并且记录层(3)具有从7到18nm的范围中选择的厚度。这样的介质(10)适合于具有大于25Mb/s的数据速率的高数据速率记录，同时记录层(6)保持相对薄，而具有相对高的光学透明度。 | ||
| 申请公布号 | CN1628347A | 申请公布日期 | 2005.06.15 |
| 申请号 | CN03803321.6 | 申请日期 | 2003.01.24 |
| 申请人 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 发明人 | G·－F·周;J·C·N·里佩斯;H·J·博格;M·范施德尔 |
| 分类号 | G11B7/24 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王岳;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种可重写光学存储介质(10)，用于借助经聚焦的激光束(6)来进行可擦除的高数据速率记录，所述介质(10)包括：基片(1)；以及基片(1)上的层的层叠；所述层叠包括：第一电介质层(2)；包括由Ge、Sb和Te组成的合金的相位变化材料的记录层(3)；第二电介质层(4)；以及金属反射层(5)，特征在于所述合金具有以原子百分比表示的配方GexSbyTez所限定的组分，其中0＜x＜15，50＜y＜80，10＜z＜30并且x+y+z＝100；并且记录层(3)具有从7到18nm的范围中选择的厚度。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||