脊形波导式半导体光器件及其制作方法

摘要

脊形波导式半导体光器件及其制作方法，具有层状结构，自下而上依次为下部电极层、半导体衬底层、活性层和上部包被薄层，其特征是在上部包被薄层的上方为平板状绝缘层，其具有宽度可事先设定制作的电流注入通道，其上方以电流注入通道为中心，具有脊形上部包被厚层，上部包被厚层的上面为电流接触层，上部电极层整体覆盖在电流接触层以及绝缘层的表面。本发明在结构上和制作技术上有成本很低、成品率高而且不限制设计自由、有利于器件性能的极大提高等优点，广泛适用于半导体激光器，发光二极管、半导体光放大器和集成光器件等。

主权项

1、脊形波导式半导体光器件具有层状结构，所述层状结构自下而上依次为下部电极层(1)、半导体衬底层(2)、活性层(3)和上部包被薄层(4)，其特征是在所述上部包被薄层(4)的上方为平板状绝缘层(5)、在所述平板状绝缘层(5)的中央具有宽度可事先设定制作的电流注入通道(5a)，在平板状绝缘层(5)的上方、以电流注入通道(5a)为中心，具有脊形上部包被厚层(6)，上部包被厚层(6)的上面为电流接触层(7)，上部电极层(9)整体覆盖在包括电流接触层(7)以及绝缘层(5)的表面。