| 发明名称 |
LASER IRRADIATION APPARATUS FOR CRYSTALLIZATION AND MANUFACTURING METHOD FOR POLYSILICON THIN FILM TRANSISTOR USING THE APPARATUS |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
KR20050052764(A) |
申请公布日期 |
2005.06.07 |
| 申请号 |
KR20030086309 |
申请日期 |
2003.12.01 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. |
发明人 |
KIM, DONG BYUM |
| 分类号 |
H01L29/786;(IPC1-7):H01L29/786 |
主分类号 |
H01L29/786 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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