| 发明名称 |
Verfahren zum Herstellen einer Ätzmaske auf einer Mikrostruktur, insbesondere einer Halbleiterstruktur mit Grabenkondensatoren, und entsprechende Verwendung der Ätzmaske |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
DE10312202(B4) |
申请公布日期 |
2005.06.02 |
| 申请号 |
DE20031012202 |
申请日期 |
2003.03.19 |
| 申请人 |
INFINEON TECHNOLOGIES AG |
发明人 |
STAVREV, MOMTCHIL;WEGE, STEFAN;VOGT, MIRKO;MOLL, HANS-PETER |
| 分类号 |
H01L21/32;B81C1/00;H01L21/302;H01L21/308;H01L21/334;H01L21/461;H01L21/4763;H01L21/8234;H01L21/8242;H01L21/8244;(IPC1-7):H01L21/308;H01L21/824 |
主分类号 |
H01L21/32 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
