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发明名称
化合物半导体单晶及其制造方法
摘要
一种制造化合物半导体单晶之方法,包括使一熔融原料液体与装在一坩埚下段中的种晶接触及逐渐将坩埚中的熔融原料液体冷却使得原料液体向上进行固体化,由是长出单晶。该单晶具有为该单晶固定直径部份0.50至0.96倍之直径。该单体的直径增加部份具有在单晶成长中增加的直径使得直径增加部份的周壁相对于单晶成长方向倾斜5°或更大且小于35°,接着为在该单晶固定直径部份之长成。
申请公布号
TW200517531
申请公布日期
2005.06.01
申请号
TW093130786
申请日期
2004.10.08
申请人
昭和电工股份有限公司
发明人
松本文夫
分类号
C30B11/00
主分类号
C30B11/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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