记忆电晶体及具非对称口袋掺杂区之记忆单元

摘要

本案系说明，且特别是仅具有在一源极区域(S)附近之一口袋掺杂区域(114)的一快闪记忆电晶体。该记忆电晶体(T11)于读取步骤中，不需扰乱该电荷储存状态便可操作。