发明名称 清洁高介电常数材料沈积舱的方法
摘要 在此公开了一种乾法蚀刻和舱清洁高介电常数材料的方法。本发明一方面提供了一种从至少一部分反应器的表面清洁包含介电常数高于二氧化矽介电常数的物质的方法,包括:向反应器中引入包括含硼反应活性剂的第一气体混合物,其中第一气体混合物与在反应器中的物质反应,产生挥发性产物和含硼副产物;向反应器中引入包括含氟反应活性剂的第二气体混合物,其中第二气体混合物与反应器中的含硼副产物反应,形成挥发性产物;并从反应器中去除挥发性产物。
申请公布号 TW200517523 申请公布日期 2005.06.01
申请号 TW093135905 申请日期 2004.11.22
申请人 气体产品及化学品股份公司 发明人 吴定军;齐宾;史帝芬安德鲁摩堤卡;伊真约瑟喀瓦奇
分类号 C23C16/44 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人 陈展俊;林圣富
主权项
地址 美国