| 主权项 |
1.一种发出辐射之半导体组件,其包含:-一可透过辐射之基板(1),其下侧上配置一辐射产生层(2),-该基板(1)具有倾斜之侧面(3),-该基板(1)之折射率(n1)大于该辐射产生层(2)之折射率(n2),其特征为:-由该折射率差而造成一种未照射之基板区(4),其中光子不能直接由该辐射产生层(2)入射进来,-该基板(1)在未照射区(4)中具有垂直之侧面(5)。2.如申请专利范围第1项之组件,其中该辐射产生层(2)设有一种远离该基板(1)之侧面以安装该组件。3.如申请专利范围第2项之组件,其中在该辐射产生层(2)之远离该基板(1)之侧面上形成一种安装面。4.如申请专利范围第1项之组件,其中该垂直之侧面(5)在基板下侧上形成一基座(6),该倾斜之侧面(3)邻接于基板之上侧。5.如申请专利范围第4项之组件,其中该未照射区(4)之上部边界是与该基座(6)之上部边界相叠合。6.如申请专利范围第4或5项之组件,其中该基座(6)之高度(h)介于15和30um之间。7.如申请专利范围第1至4项中任一项之组件,其中各倾斜之侧面(3)是与基板下侧形成一种介于15和40之间之角度()。8.如申请专利范围第1至4项中任一项之组件,其中该基板(1)在下侧上具有一种介于300和2000um之间之宽度(B)。9.如申请专利范围第1至4项中任一项之组件,其中该基板(1)具有一种介于200和300um之间之厚度(D)。10.如申请专利范围第1项之组件,其中该辐射产生层(2)覆盖该基板下侧,但宽度(bF)介于10和50um之间之位于外侧之空白边缘(7)未被覆盖。11.如申请专利范围第1,2,3,4或10项之组件,其中该辐射产生层(2)具有倾斜之侧面边缘(8),其使横向于基板(1)而发出之光反射至该基板(1)之方向中。12.如申请专利范围第11项之组件,其中该倾斜之侧面边缘(8)是与该基板下侧形式一种介于20和70之间之角度()。13.如申请专利范围第11项之组件,其中该辐射产生层(2)之倾斜之侧面边缘(8)是与该基板形成一种角度(),其适合使辐射在该侧面边缘(12)上发生全反射。14.如申请专利范围第11项之组件,其中该辐射产生层(2)之侧面边缘(12)以一种光学反射材料(9)来覆盖。15.如申请专利范围第14项之组件,其中该光学反射材料(9)是铝或银。16.如申请专利范围第1,2,3,4或10项之组件,其中-在基板(1)之上侧上配置各接触元件(10,10a),-该基板(1)之横向导电性使由该接触元件(10)流至基板(1)中之电流形成一种锥体形式之扩散,-各接触元件(10)须互相隔开,使该电流扩散锥体(13)触及一种深度(T),在该深度(T)中该基板(1)之整个横切面都流有电流。17.如申请专利范围第16项之组件,其中各接触元件是导电轨(10),其沿着互相交错之正方形(11)而延伸,其中各正方形(11)具有等距之互相平行之侧面边缘(12)。18.如申请专利范围第17项之组件,其中各导电轨(10)对应于该基板(1)之可流过电流之表面而具有互相不同之宽度(bL1,bL2,bL3)。19.如申请专利范围第1,2,3,4或10项之组件,其中该基板(1)含有碳化矽。20.如申请专利范围第19项之组件,其中该基板(1)含有六角形之6H-碳化矽。21.如申请专利范围第1,2,3,4或10项之组件,其中该辐射产生层(2)含有氮化镓。22.如申请专利范围第1,2,3,4或10项之组件,其中该基板下侧具有至少300um之宽度(B)。23.一种如申请专利范围第1至22项中任一项所述之发出辐射之半导体组件之制造方法,其特征为以下各步骤:a)藉由一种适当形式之锯子在一可透过辐射之基板(1)中切锯成V-形之沟渠(14),其中该基板(1)之剩余厚度(dr)保持着连续之形式,b)沿着沟渠(14)将该基板(1)划分成多个单一基板(15)。24.如申请专利范围第23项之制造方法,其中该划分是以一种具有直线式切锯片之锯子来达成。25.如申请专利范围第24项之制造方法,其中该划分藉由折断来达成。图式简单说明:第1图 举例说明一种组件之横切面。第2图 以电脑模拟第1图之组件之发射效率。第3图 各接触元件之配置之横切面图。第4图 各导电轨配置之在基板上侧之俯视图。第5图 导电轨另一实施形式之在基板上之俯视图。第6图 系第1图之一个区段,其中显示该幅射产生层之倾斜之侧面边缘。第7图 该组件之制造方法进行期间之基板。 |
