半导体装置之制造方法

摘要

一种为提升球状栅极矩阵(ball grid array,BGA)型半导体装置之良品率及可靠性(信赖信)的半导体装置制造方法，系于形成第1配线(3)之半导体晶圆(1a)表面，藉由树脂(5)与作为支持板的玻璃基板(4)黏贴。且于该黏贴玻璃基板(4)面之反面上，施加背部研磨(back-grinding)，以使半导体晶圆(1a)的厚度薄形化。此时，为去除因研磨处理而产生之半导体晶圆(1a)面内的凹凸刮痕(scratch)进行湿式蚀刻处理。再对玻璃基板(4)黏贴面之反面，沿着境界S之区域，进行蚀刻作业而形成具有倾斜面之沟。此时，为使由蚀刻形成的沟部表面凹凸及棱角部分之前端圆弧化，而进行湿式蚀刻。由该上述湿式蚀刻处理，能使背部蚀刻后形成之绝缘膜、配线、保护膜之覆盖性提升，而使半导体装置之良品率提升，同时亦使可靠性(信赖性)提高者。

主权项

1.一种半导体装置之制造方法,系于形成半导体元件的半导体晶圆面黏贴支持板,在与黏贴有上述支持板面之上述半导体晶圆面相反之面施以背部研磨(back-grinding)后,再于上述背部研磨后之上述半导体晶圆之面上进行湿式蚀刻,以减少表面粗糙度者。2.一种半导体装置之制造方法,系于形成半导体元件的半导体晶圆面黏贴支持板,在与黏贴有上述支持板面之上述半导体晶圆面相反之面施以蚀刻处理形成沟部后,再于上述蚀刻处理后之上述半导体晶圆之面上进行湿式蚀刻,以将上述沟部之棱角部加工成为圆弧化者。3.如申请专利范围第1项记载之半导体装置制造方法,其中,上述湿式蚀刻系将上述背部研磨后之上述半导体晶圆面向上置放,将药液由上方向该半导体晶圆滴下,同时,将该半导体晶圆予以旋转,使药液扩张在该半导体晶圆之整个表面,而进行湿式蚀刻加工者。4.如申请专利范围第2项记载之半导体装置制造方法,其中,上述湿式蚀刻系将经过蚀刻后之上述半导体晶圆面向上,将药液由上方向该半导体晶圆滴下,同时,将该半导体晶圆予以旋转,使药液扩张在该半导体晶圆之整个表面,而进行湿式蚀刻加工者。5.如申请专利范围第3或第4项记载之半导体装置制造方法,其中,上述湿式蚀刻系一面将上述半导体晶圆的旋转方向予以变换一面进行者。6.如申请专利范围第1项记载之半导体装置制造方法,其中,上述湿式蚀刻系将经过背部研磨后之半导体晶圆之面予以化学机械式研磨(CMP)而减低表面粗糙度者。7.如申请专利范围第1、3或第6项中任何一项记载之半导体装置制造方法,其中,系以上述湿式蚀刻将附着于上述经过背部研磨后之半导体晶圆之面的异物予以去除者。8.如申请专利范围第2或第4项记载之半导体装置制造方法,其中,系以上述湿式蚀刻将附着于上述经过蚀刻后之半导体晶圆之面的异物予以去除者。9.一种半导体装置之制造方法,系具有:于形成有多数个半导体元件之半导体晶圆上,形成绝缘膜,再于该绝缘膜上形成以邻接半导体元件的境界为中心而成为一对之第1配线的配线形成制程;藉由黏贴剂将支持板予以黏贴以覆盖第1配线的黏贴制程;将与黏贴上述支持板的面相反之上述半导体晶圆面予以背部研磨的研磨制程,及在上述经过背部研磨后之半导体晶圆面,进行湿式蚀刻以减低表面粗糙度的蚀刻制程者。10.如申请专利范围第9项记载之半导体装置制造方法,系具有:对上述背部研磨后之半导体晶圆面,或经过上述湿式蚀刻之上述半导体晶圆面,以抗蚀层进行图案化后,以该抗蚀层为遮罩进行蚀刻,沿上述半导体元件之境界线形成沟部的制程,及对上述含有沟部的经过上述蚀刻之半导体晶圆面,进行湿式蚀刻,以使该沟部之棱角部分予以圆弧化的制程者。11.如申请专利范围第1、2、9或第10项中任何一项记载之半导体装置制造方法,其中,上述湿式蚀刻,系将上述半导体晶圆浸于药液方式的浸渍处理而进行者。12.如申请专利范围第1、2、9或第10项中任何一项记载之半导体装置制造方法,其中,以进行乾式蚀刻替代上述湿式蚀刻者。图式简单说明:第1图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第2图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第3图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第4图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第5图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第6图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第7图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第8图为有关本发明实施形态之半导体装置制造方法之剖面图。第9图(A)为以习用半导体装置制造方法形成之半导体装置斜视图。第9图(B)为以习用半导体装置制造方法形成之半导体装置斜视图。第10图为以习用半导体装置制造方法形成之半导体装置剖视图。