高压集成电路的静电放电保护装置

摘要

一种高压集成电路的静电放电(ESD)保护装置，运用于高电压的金氧半场效晶体管。本发明利用金氧半场效晶体管既有的结构，额外加上一个扩散区，来产生一个寄生的硅控整流器。并且，在适当的安排下，该硅控整流器的放电路径较短，因而有较快的反应速度，所以提供较佳的ESD防护。

主权项

1.一种高压集成电路的静电放电保护装置，其特征在于所述静电放电保护装置包括：一第一导电型基底；一第二导电型井区，形成于该基底中；一第二导电型第一扩散区，形成于该基底中；一栅极，用以控制该第二导电型第一扩散区与该井区的电性连接，该栅极、该第二导电型第一扩散区与该井区构成一场效晶体管；一第二导电型第二扩散区，形成于该井区中，作为该井区的电接触点；以及一第一导电型第一扩散区，形成于该井区中，位于该第二导电型第二扩散区与该栅极之间，其中，该第一导电型第一扩散区、该井区、该基底以及该第二导电型第一扩散区组成一寄生的硅控整流器。