发明名称 |
薄膜晶体管及制造方法、使用该薄膜晶体管的平板显示器 |
摘要 |
本发明公开一种薄膜晶体管,包括:有源层,该有源层形成在绝缘衬底上,并且具有源极/漏极区域和沟道区域;形成在有源层上的栅极绝缘薄膜;和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极。该栅极电极可由导电金属薄膜图案和覆盖该导电金属薄膜图案的导电氧化物薄膜制成。源极/漏极区域可具有LDD区域,该LDD区域与所述栅极电极至少部分重叠。 |
申请公布号 |
CN1622338A |
申请公布日期 |
2005.06.01 |
申请号 |
CN200410096228.1 |
申请日期 |
2004.11.25 |
申请人 |
三星SDI株式会社 |
发明人 |
具在本;李相杰 |
分类号 |
H01L29/786;H01L21/336;G02F1/133;G09F9/30;G09G3/36;G09G3/38 |
主分类号 |
H01L29/786 |
代理机构 |
北京市柳沈律师事务所 |
代理人 |
李晓舒;魏晓刚 |
主权项 |
1、一种薄膜晶体管,包括:有源层,该有源层形成在绝缘衬底上,并且具有源极/漏极区域和沟道区域;形成在所述有源层上的栅极绝缘薄膜;和形成在该栅极绝缘薄膜上的栅极电极,该栅极电极包括导电薄膜图案和覆盖该导电薄膜图案的导电氧化物薄膜,其中,源极/漏极区域包括微掺杂漏极(LDD)区域,该微掺杂漏极区域与所述栅极电极重叠。 |
地址 |
韩国京畿道 |