偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法

摘要

在一个说明的实施例中，该器件包括形成在绝缘体上硅衬底(30)上方的晶体管(32)，该绝缘体上硅衬底(30)包括基体衬底(30A)、掩埋绝缘层(30B)及有源层(30C)，该基体衬底(30A)被掺杂第一类型掺杂材料并且在该基体衬底(30A)内形成第一阱(50)，该第一阱(50)被掺杂与该第一类型掺杂材料相反类型的第二类型掺杂材料。该器件进一步包括以第一型掺杂材料形成在基体衬底(30A)中的第二阱(52)、在第二阱(52)上有源层(30C)中形成的晶体管(32)、为该第一阱(50)形成的电接触(60)以及为该第二阱(52)所形成的电接触(62)。在一个说明的实施例中，公开了一种在绝缘体上硅衬底(30)上形成晶体管(32)的方法包括，绝缘体上硅衬底(30)包括基体衬底(30A)、掩埋氧化层(30B)以及有源层(30C)，该基体衬底(30A)被掺杂第一类型掺杂材料。本发明的方法包括：使用掺杂材料执行第一离子注入工艺以在该基体衬底(30A)内形成第一阱(50)区域，该掺杂材料是与该第一类型的掺杂材料相反类型的掺杂材料基体；使用与第一类型掺杂材料相同类型的掺杂材料执行第二离子注入工艺，以在该基体衬底(30A)中的第一阱(50)内形成第二阱区域(52)，该晶体管(32)形成在该第二阱(52)上方的有源层(30C)内；对于该第一阱(50)形成电接触(60)以及对于该第二阱(52)形成电接触(62)。该方法还包括形成在基体衬底(30A)中的第一阱(50)内的接触阱(58)，该接触阱(58)包括与第二类型掺杂材料相同类型的掺杂材料，在该第一阱(50)内的接触阱(58)，其掺杂浓度大于该第一阱(50)的掺杂浓度。

主权项

1.一种器件，包括：形成在绝缘体上硅衬底(30)上方的晶体管(32)，该绝缘体上硅衬底是由基体衬底(30A)、掩埋绝缘层(30B)及有源层(30C)所构成，该基体衬底(30A)掺杂有第一类型掺杂材料；形成在该基体衬底(30A)内的第一阱(50)，该第一阱(50)掺杂有与该第一类型掺杂材料相反类型的第二类型的掺杂材料；形成在该第一阱(50)内的基体衬底(30A)中的第二阱(52)，该第二阱(52)掺杂有与该第一类型掺杂材料相同类型的掺杂材料，该晶体管(32)形成在该第二阱(52)上方的该有源层(30C)内；用于该第一阱(50)的电接触(60)；以及用于该第二阱(52)的电接触(62)。