| 发明名称 |
MULTI-LEVEL GATE SONOS FLASH MEMORY DEVICE WITH HIGH VOLTAGE OXIDE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
SG111190(A1) |
申请公布日期 |
2005.05.30 |
| 申请号 |
SG20040004417 |
申请日期 |
2004.08.10 |
| 申请人 |
CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING LTD |
发明人 |
ZHENG JIA ZHEN;YELEHANKA PRADEEP RAMACHANDRAMURTHY;LI WEINING |
| 分类号 |
H01L21/336;H01L21/8246;H01L27/105;H01L27/115 |
主分类号 |
H01L21/336 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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