| 发明名称 | 绝缘栅双极型晶体管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明是关于一种绝缘栅双极型晶体管及其制造方法，提供一种具有一含有如硼等P型杂质的P型集电区(11)。一含有相对较高浓度砷的相对较薄的N型缓冲区(12)通过一抗扩散区(22)形成于集电区(11)之上。抗扩散区(22)的厚度等于或略小于器件制造过程中P型杂质由集电区(11)向缓冲区(12)扩散的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1619832A | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN200410091436.2 | 申请日期 | 2004.11.22 |
| 申请人 | 三垦电气株式会社 | 发明人 | 鸟居克行;高桥良治 |
| 分类号 | H01L29/739;H01L21/331 | 主分类号 | H01L29/739 |
| 代理机构 | 北京中原华和知识产权代理有限责任公司 | 代理人 | 寿宁 |
| 主权项 | 1.一种绝缘栅双极型晶体管，其特征在于其包括：一P型集电区(11)，其含有P型杂质；一N型缓冲区(12)，其形成于所述P型集电区(11)之上；一N型基区(13)，其形成于所述N型缓冲区(12)之上并具有低于所述N型缓冲区(12)的掺杂浓度；一P型基区(14)，其形成于所述N型基区(13)的一表面区域内；一N型发射区(15)，其形成于所述N型基区(13)的一表面区域内；一抗扩散区(22)，其形成于所述P型集电区(11)和所述N型缓冲区(12)之间，防止P型集电区(11)的P型杂质扩散。 | ||
| 地址 | 日本埼玉县 | ||