| 发明名称 | 旋涂玻璃组合物及其在半导体生产中形成氧化硅层的方法 | ||
| 摘要 | 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为-(SiH<SUB>2</SUB>NH)<SUB>n</SUB>-的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物，通式中n表示一个正整数，其重均分子量在约4,000-8,000范围，分子量分布在约3.0-4.0的范围，以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化，将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。 | ||
| 申请公布号 | CN1203535C | 申请公布日期 | 2005.05.25 |
| 申请号 | CN00134841.8 | 申请日期 | 2000.11.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李祯浩;崔晶植;金弘基;李东峻;姜大源;全相文 |
| 分类号 | H01L21/316;C08G77/62 | 主分类号 | H01L21/316 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉 |
| 主权项 | 1、一种旋涂玻璃组合物，用于在半导体生产中形成氧化硅层，所述组合物包括：按总组合物重计约为10-30％重的化合物通式为-(SiH2NH)n-的全氢化聚硅氮烷，通式中n表示一个正整数，其中全氢化聚硅氮烷的重均分子量约4,000-8,000，分子量分布约3.0-4.0；和按组合物总重量计为约70-90％重的溶剂。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||