发明名称 软性基板之制造方法及软性基板
摘要 〔课题〕不用在树脂膜上形成开口部,也能使金属膜互相连接。〔解决手段〕在第1金属膜12上所形成之第1树脂膜16中,将第2金属膜11上所设之突块21用力压,以将突块21压入第1树脂膜16中。在突块21抵接于第1金属膜12的状态下,将第2金属膜11或第1金属膜12的至少一方图案化,而在第1树脂膜16的表面局部露出之状态下实施热处理,以使溶剂和水分从露出部分放出,并将第1树脂膜16硬化。硬化后,将突块21和第1金属膜12施以超音波熔接亦可。又,进一步积层第2树脂膜和第3金属膜,而形成多层构造亦可。
申请公布号 TWI233326 申请公布日期 2005.05.21
申请号 TW089115314 申请日期 2000.07.31
申请人 索尼化学股份有限公司 发明人 栗田英之;渡边正直
分类号 H05K3/40 主分类号 H05K3/40
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路2段112号9楼
主权项 1.一种软性基板之制造方法,系在第1金属膜上形成含溶剂之未硬化状态的第1树脂膜,将设有突块之第2金属膜的该突块压抵于第1树脂膜上,再将突块压入第1树脂膜中,而使突块抵接于第1金属膜后,将第1或第2金属膜之至少一金属膜图案化,而在让第1树脂膜的表面至少局部露出之状态下实施加热,以进行第1树脂膜之硬化处理;且该第1树脂膜系由热固性树脂所构成。2.如申请专利范围第1项之软性基板之制造方法,在将突块压抵于第1树脂膜前,系将未硬化状态的第1树脂膜加热,以进行第1树脂膜之半硬化处理。3.如申请专利范围第2项之软性基板之制造方法,其中前述半硬化处理,系在比起半硬化状态之第1树脂膜所含的溶剂沸点为低之温度下进行。4.如申请专利范围第2项之软性基板之制造方法,其中前述半硬化处理,系在80~30℃C的范围内进行。5.如申请专利范围第2项之软性基板之制造方法,其中,将突块压入第1树脂膜中时,系加热第1树脂膜而使其软化。6.如申请专利范围第1项之软性基板之制造方法,在进行硬化处理后,系对突块和第1金属膜之至少一者施加超音波,以进行为使突块和第1金属膜连接之超音波处理。7.如申请专利范围第2项之软性基板之制造方法,在进行硬化处理后,系对突块和第1金属膜之至少一者施加超音波,以进行为使突块和第1金属膜连接之超音波处理。8.如申请专利范围第6项之软性基板之制造方法,在进行第1树脂膜的硬化处理前,系将第1金属膜或第2金属膜图案化,而未图案化之金属膜,则在进行超音波处理后再图案化。9.如申请专利范围第7项之软性基板之制造方法,在进行第1树脂膜的硬化处理前,系将第1金属膜或第2金属膜图案化,而未图案化之金属膜,则在进行超音波处理后再图案化。10.如申请专利范围第1项之软性基板之制造方法,在经图案化之第1或第2金属膜的表面形成第2树脂膜后,将第3金属膜上所设之突块压入第2树脂膜的内部,使突块抵接于第1或第2金属膜后,将第3金属膜图案化,接着将第2树脂膜硬化。11.如申请专利范围第2项之软性基板之制造方法,在经图案化之第1或第2金属膜的表面形成第2树脂膜后,将第3金属膜上所设之突块压入第2树脂膜的内部,使突块抵接于第1或第2金属膜后,将第3金属膜图案化,接着将第2树脂膜硬化。12.如申请专利范围第8项之软性基板之制造方法,在经图案化之第1或第2金属膜的表面形成第2树脂膜后,将第3金属膜上所设之突块压入第2树脂膜的内部,使突块抵接于第1或第2金属膜后,将第3金属膜图案化,接着将第2树脂膜硬化后,对第3金属膜上所形成的突块施加超音波,以使突块连接于第1或第2金属膜。13.如申请专利范围第9项之软性基板之制造方法,在经图案化之第1或第2金属膜的表面形成第2树脂膜后,将第3金属膜上所设之突块压入第2树脂膜的内部,使突块抵接于第1或第2金属膜后,将第3金属膜图案化,接着将第2树脂膜硬化后,对第3金属膜上所形成的突块施加超音波,以使突块连接于第1或第2金属膜。14.一种软性基板,系将经图案化之复数个金属膜以介入树脂膜的方式来作积层,于各层金属膜中,相邻二层之金属膜间系透过突块来形成电气连接,且其中一层金属层具有至少一个开口部;该树脂膜系含有溶剂;对软性基板进行热处理时,该树脂膜所含之溶剂会从金属膜之至少一开口放出而使树脂膜发生热收缩,藉此将突块紧压于二层的金属膜。15.如申请专利范围第14项之软性基板,其中前述树脂膜,系在至少表面的一部分经图案化的金属膜间露出之状态下实施热处理,以进行硬化。16.如申请专利范围第14项之软性基板,其中透过突块来连接之相邻二层的金属膜中,一方的金属膜和突块是被施以超音波连接。17.如申请专利范围第15项之软性基板,其中透过突块来连接之相邻二层的金属膜中,一方的金属膜和突块是被施以超音波连接。图式简单说明:图1(a)-(e)系本发明的软性基板制造方法的过程之说明图(前半部)。图2(f)-(i)系本发明的软性基板制造方法的过程之说明图(中半部)。图3(j)-(m)系本发明的软性基板制造方法的过程之说明图(后半部)。图4(a)-(e)系多层构造之本发明的软性基板制造方法之说明图(前半部)。图5(f)-(h)系多层构造之本发明的软性基板制造方法之说明图(后半部)。图6系本发明的制造所用之超音波熔接装置的例子。图7(a)-(c)系习知技术的贯通法的过程之说明图。图8(a)-(c)系习知技术的导通法的过程之说明图。
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