| 主权项 |
1.一种四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,至少包括:一晶片载板,具有一顶面以及一底面,该晶片载板具有复数个导电接脚配置于该底面,且该晶片载板还具有复数个接合垫配置于该顶面,该些导电接脚与该些接合垫相电性连接;以及至少一晶片,配置于该顶面,并与该晶片载板电性连接。2.如申请专利范围第1项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,更包括一保护层,覆盖于该晶片之表面。3.如申请专利范围第1项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,其中该晶片载板还具有一内连线层,配置于该些接合垫以及该些导电接脚之间,该内连线层至少具有一导电孔,其两端分别连接该些接合垫之一以及该些导电接脚之一。4.如申请专利范围第1项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,其中该晶片系以打线接合的方式与该晶片载板电性连接。5.如申请专利范围第1项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,其中该晶片系以覆晶接合的方式与该晶片载板电性连接。6.如申请专利范围第1项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,其中该晶片系以表面接合的方式与该晶片载板电性连接。7.如申请专利范围第6项所述之四方扁平无接脚型态之晶片封装结构,更包括一异方性导电胶,对应连接该晶片以及该晶片载板。8.一种四方扁平无接脚之晶片封装制程,至少包括:提供一基材;形成复数个金属块于该基材上;形成一内连线层连接该些金属块,该内连线层至少具有一导电孔以及复数个接合垫,该导电孔电性连接该些金属块之一以及该些接合垫之一,且该些接合垫系位于该内连线层之最外层的表面上;配置至少一晶片于该内连线层上,该晶片具有复数个焊垫,对应连接该些接合垫;以及移除该基材,并暴露出该些金属块之底面。9.如申请专利范围第8项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中于形成该内连线层之步骤中,包括形成至少一氧化层于该些金属块与该些接合垫之间,而该导电孔系贯穿该氧化层并连接该些金属块之一以及该些接合垫之一。10.如申请专利范围第8项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,更包括形成一保护层覆盖于该晶片。11.如申请专利范围第8项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中形成该些金属块之方式,包括先形成一金属层于该基材上,接着图案化该金属层以形成该些金属块于该基材上。12.如申请专利范围第11项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中形成该金属层之方式包括电镀金属。13.如申请专利范围第11项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中形成该金属层之方式包括涂布以及贴覆其中之一。14.如申请专利范围第11项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中图案化该金属层之方式包括先形成一蚀刻中止层于该基材上,接着再形成一图案化光阻层于该金属层上,之后进行蚀刻,以定义出该些金属块,最后再去除该图案化光阻层。15.如申请专利范围第14项所述之四方扁平无接脚之晶片封装制程,其中于移除该基材之步骤中,更包括移除该蚀刻中止层,以暴露出该金属块之底部。16.一种晶圆级之封装结构体,至少包括:一晶圆,具有复数个区块;复数个导电凸块,配置于该晶圆之每一该些区块上;一金属内连线层,连接该些导电凸块,该金属内连线层至少具有一导电孔以及复数个接合垫,该导电孔电性连接该些导电凸块之一以及该些接合垫之一,且该些接合垫系位于该金属内连线层之最外层的表面上;以及至少一晶片,配置于该晶圆之每一该些区块上,该晶片具有复数个焊垫,对应连接该些接合垫。17.如申请专利范围第16项所述之晶圆级之封装结构体,更包括一保护层,覆盖于该晶圆之每一该些区块上。18.如申请专利范围第16项所述之晶圆级之封装结构体,其中该金属内连线层还具有至少一氧化层,介于该些导电凸块与该些接合垫之间,而该导电孔系贯穿该氧化层并连接该些金属块之一以及该些接合垫之一。19.一种晶圆级之晶片封装制程,至少包括:提供一晶圆,该晶圆具有复数个区块;形成复数个金属块于该晶圆之每一该些区块上;形成一内连线层连接该些金属块,该内连线层至少具有一导电孔以及复数个接合垫,该导电孔电性连接该些金属块之一以及该些接合垫之一,且该些接合垫系位于该内连线层之最外层的表面上;配置至少一晶片于该晶圆之每一该些区块上,该晶片具有复数个焊垫,对应连接该些接合垫;以及移除该基材,并暴露出该些金属块之底面。20.如申请专利范围第19项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中于形成该内连线层之步骤中,包括形成至少一氧化层于该些金属块与该些接合垫之间,而该导电孔系贯穿该氧化层并连接该些金属块之一以及该些接合垫之一。21.如申请专利范围第19项所述之晶圆级之晶片封装制程,更包括形成一保护层,覆盖于该晶圆之每一该些区块上。22.如申请专利范围第19项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中形成该些金属块之方式,包括先形成一金属层于该基材上,接着图案化该金属层以形成该些金属块于该基材上。23.如申请专利范围第22项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中形成该金属层之方式包括电镀金属。24.如申请专利范围第22项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中形成该金属层之方式包括涂布以及贴覆其中之一。25.如申请专利范围第22项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中图案化该金属层之方式包括先形成一蚀刻中止层于该晶圆之每一该些区块上,接着再形成一图案化光阻层于该金属层上,之后进行蚀刻,以定义出该些金属块,最后再去除该图案化光阻层。26.如申请专利范围第25项所述之晶圆级之晶片封装制程,其中于移除该晶圆之步骤中,更包括移除该蚀刻中止层,以暴露出该金属块之底部。图式简单说明:第1A图绘示习知一种四方扁平无接脚封装结构之剖面图。第1B图绘示对应于第1A图之四方扁平无接脚封装结构之下表面的仰视图。第2A以及2B图绘示本发明一较佳实施例之一种四方扁平无接脚型态之晶片封装结构的剖面图以及仰视图。第3A~3F图绘示一种四方扁平无接脚之晶片封装制程的流程示意图。第4A~4D图绘示一种形成金属块之方法的流程示意图。 |
