| 主权项 |
1.一种用以减少二极体电容之装置,包含: 一个提供在一二极体中之焊垫与电源供应器扩散 区域之导电连线的第一导电层; 一个包括一把该等焊垫扩散区域耦合至一焊垫之 第一部份和一把该等电源供应器扩散区域耦合到 一电压供应器之第二部份的第二导电层, 该第一和第二导电层的线在该二极体的二极体区 域中系实质上彼此平行。 2.如申请专利范围第1项所述之装置,其中 至少一个电源供应器扩散区域的宽度系实质上比 与制造该二极体之处理之电源供应器扩散区域相 关之最小宽度大。 3.如申请专利范围第2项所述之装置,其中 该至少一个电源供应器扩散区域的宽度是比与制 造该二极体之处理之电源供应器扩散区域相关之 最小宽度大至少50%。 4.如申请专利范围第2项所述之装置,其中 把该等焊垫区域耦合到一焊垫之第二金属层的第 一部份从该二极体区域之一第一侧延伸不越过该 二极体区域的一半,且其中 把该等电源供应器区域耦合到一电压供应器之第 二金属层的第二部份从该二极体区域之一相对侧 延伸不越过该二极体区域的一半。 5.如申请专利范围第2项所述之装置,其中 该第二金属层之第一与第二部份中之每一者包括 延伸实质上越过该整个二极体区域的线。 6.一种二极体,包含: 至少一个第一电源供应器扩散区域,该至少一个第 一电源供应器扩散区域具有一个实质上比该第一 电源供应器区域之最小宽度大的宽度; 一个提供包括该至少一个第一电源供应器扩散区 域之焊垫与电源供应器扩散区域之导电连线的第 一金属层; 一个包括一把该等焊垫扩散区域耦合至一焊垫之 第一部份和一耦合该等电源供应器扩散区域俾可 接收一供应电压之第二部份的第二金属层,该第一 和第二金属层的线在该二极体的二极体区域中系 实质上彼此平行。 7.如申请专利范围第6项所述之二极体,其中 该至少一个第一电源供应器扩散区域具有一个比 该最小宽度大至少50%的宽度。 8.如申请专利范围第7项所述之二极体,其中 该等焊垫扩散区域具有一个实质上相等于与制造 该二极体之处理相关之焊垫扩散区域的最小宽度 。 9.如申请专利范围第6项所述之二极体,其中 与该第二金属层之第一与第二部份中之每一者相 关的线从该二极体区域的相对侧延伸不越过该二 极体区域的50%。 10.如申请专利范围第6项所述之二极体,其中 与该第二金属层之第一与第二部份中之每一者相 关的线延伸实质上越过该二极体区域的整个宽度 且该电源供应器扩散区域的宽度是比该电源供应 器扩散区域的最小宽度大至少100%。 11.一种输入缓冲器,包含: 一个接收一输入讯号的焊垫; 一第一二极体,该第一二极体具有一个被耦合至该 焊垫的第一端和一个被耦合俾可接收一第一供应 电压的第二端;及 一第二二极体,该第二二极体具有一个被耦合到该 焊垫的第一端和一个被耦合俾可接收一第二供应 电压的第二端, 其中,该第一与第二二极体中之至少一者包括一较 低水平的金属层和一相邻之较高水平的金属层,该 较低水平之金属层与较高水平之金属层的线在该 至少一个二极体的二极体区域中系实质上彼此平 行。 12.如申请专利范围第11项所述之输入缓冲器,其中, 该至少一个二极体更包含: 被耦合到该焊垫的焊垫扩散区域及被耦合俾可接 收对应之供应电压的电源供应器扩散区域,其中, 该等电源供应器扩散区域系实质上比该等电源供 应器扩散区域的最小宽度宽且该等焊垫扩散区域 系实质上在该等焊垫扩散区域的最小宽度。 13.如申请专利范围第12项所述之输入缓冲器,其中 该至少一个二极体的电源供应器扩散区域系比该 等电源供应器扩散区域的最小宽度宽至少50%。 14.如申请专利范围第12项所述之输入缓冲器,其中 该至少一个二极体之较高水平的金属层包括一个 把该等焊垫扩散区域耦合到该焊垫的第一部份和 一个耦合该等电源供应器扩散区域俾可接收对应 之供应电压的第二部份,该第一与第二部份的金属 线从该二极体区域的相对侧延伸不越过该二极体 区域的50%。 15.如申请专利范围第12项所述之输入缓冲器,其中 该至少一个二极体之较高水平的金属层包括一个 把该等焊垫扩散区域耦合到该焊垫的第一部份和 一个耦合该等电源供应器扩散区域俾可接收对应 之供应电压的第二部份,该第一与第二部份的金属 线从该二极体区域的相对侧延伸实质上越过该二 极体区域的整个宽度。 16.一种用以减少二极体电容之方法,包含: 于一二极体中设置抽头扩散区域,该等抽头扩散区 域系实质上比该等抽头扩散区域的最小宽度宽; 设置焊垫扩散区域; 设置一第一导电层,该第一导电层具有在一第一方 向上延伸越过该二极体之二极体区域的线,该第一 导电层具有被耦合到该焊垫与抽头扩散区域的导 电线;及 设置一第二相邻的导电层,该第二相邻的导电层具 有实质上与在该二极体区域中之第一导电层之线 平行的线。 17.如申请专利范围第16项所述之方法,其中 设置该等抽头扩散区域包括设置比该等抽头扩散 区域之最小宽度宽至少50%的抽头扩散区域。 18.如申请专利范围第16项所述之方法,其中 设置该第二导电层包括 设置该第二导电层之第一部份包括把该等焊垫扩 散区域耦合到一焊垫的第一线,及 设置该第二导电层之第二部份包括耦合该等抽头 扩散区域俾可接收一供应电压的第二线, 该等第一与第二线中之每一者从该二极体区域的 相对侧延伸不越过该二极体区域的50%。 19.如申请专利范围第16项所述之方法,其中 设置该第二导电层包括 设置该第二导电层之第一部份包括把该等焊垫扩 散区域耦合到一焊垫的第一线,及 设置该第二导电层之第二部份包括耦合该等抽头 扩散区域俾可接收一供应电压的第二线, 该等第一与第二线中之每一者从该二极体区域的 相对侧延伸实质上越过整个二极体区域。 20.如申请专利范围第19项所述之方法,其中 设置该等抽头扩散区域包括设置比该等抽头扩散 区域之最小宽度宽至少100%的抽头扩散区域。 图式简单说明: 第1图是为习知双二极体静电放电(ESD)保护方案的 示意图。 第2图是为一范例习知二极体布局的平面图。 第3图是为一习知二极体片断的横截面图。 第4图是为一实施例之二极体片断之布局的平面图 。 第5图是为一实施例之二极体片断的横截面图。 第6图是为另一实施例之二极体片断之布局的平面 图。 第7图是为一个显示一使用第4图或第6图之二极体 之实施例之输入缓冲器的示意图。 第8图是为一个显示用以布局一二极体之实施例之 方法的流程图。 |
