发明名称 半导体制造装置之处理管
摘要 【物品用途】本创作系有关于一种半导体制造装置之处理管之新式样设计,其主要用途乃于进行电浆处理时,令晶圆处于真空状态进行处理用的处理管。【创作特点】如各图所示,本创作基本上为一圆柱形管体,同时整体略呈瓶子状,于上方为具有凸缘状的管口部,且在管身的一侧向外突出配置一长矩形部,更于管体的底部形成开口状的设计,且于外表面形成阶状的凸缘设计,其详细的断面造形乃如第7图至第11图所示,其为一双层管状的设计,且于两侧形成圆形及长圆形的多数个开孔部,并于底面的凸缘之一侧形成一横孔,晶圆系由管底被送入处理管内进行电浆处理,期使晶圆获得绝佳的成品,达到品质良率高的晶圆制造功效;综上所述,本创作的该某设计虽是功能上的需求,但却在整体造形上形成特殊且深具科技感的造形,确为一理想美观之设计。
申请公布号 TWD104755 申请公布日期 2005.05.21
申请号 TW093302440 申请日期 2004.04.28
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 石井胜利;松浦广行
分类号 主分类号
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 如图所示「半导体制造装置之处理管」之新式样 。 图式简单说明: 第1图系本创作之立体图。 第2图系本创作之前视图。(后视图与之对称) 第3图系本创作之右侧视图。 第4图系本创作之左侧视图。 第5图系本创作之俯视图。 第6图系本创作之仰视图。 第7图系本创作之A-A断面图。 第8图系本创作之B-B断面图。 第9图系本创作之C-C断面图。 第10图系本创作之D-D断面图。 第11图系本创作之E-E断面图。 第12图系本创作之使用状态参考俯视图。 第13图系本创作之使用状态参考前视图。
地址 日本