| 摘要 |
Der Erfindung, die ein Verfahren zur Beseitigung der Auswirkungen von Defekten auf Wafern betrifft, welche von an die Oberfläche des Siliziumwafers angrenzenden Hohlräumen verursacht werden, liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Beseitigung der Auswirkungen von Defekten auf Wafern zu schaffen, mit dem ein Schutz gegen Gateoxid-Durchbrüche an Dünnstellen und eine Kostenreduzierung bei der Herstellung erreicht wird. Gemäß der Erfindung wird die Aufgabe dadurch gelöst, dass in einem ersten Verfahrensschritt eine erste Isolationsschicht auf der Oberfläche des Siliziumwafers und in den an die Oberfläche angrenzenden Hohlräumen aufgebracht wird, dass in einem zweiten Verfahrensschritt die aufgebrachte erste Isolationsschicht mit einer Opferschicht abgedeckt wird, dass in einem dritten Verfahrensschritt eine selektive Rückätzung der Opferschicht derart erfolgt, dass die an die Oberfläche angrenzenden Hohlräume durch die Opferschicht gefüllt bleiben, dass in einem vierten Verfahrensschritt eine zweite Isolationsschicht direkt auf die erste Isolationsschicht aufgebracht wird und dass in einem nachfolgenden Verfahrensschritt eine Leitschicht auf der zweiten Isolationsschicht aufgebracht wird.
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