发明名称 硅光接收器件
摘要 提供一种硅光接收器件。在该器件中,一衬底基于n型或p型硅;通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂,使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂,从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区,量子局限效应产生于p-n结中。由于量子局限效应,即使硅被用作半导体材料,该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光,并可被用作太阳能电池。
申请公布号 CN1618132A 申请公布日期 2005.05.18
申请号 CN02827874.7 申请日期 2002.10.16
申请人 三星电子株式会社 发明人 李银京;崔秉龙;金俊永
分类号 H01L31/10;H01L31/04 主分类号 H01L31/10
代理机构 北京市柳沈律师事务所 代理人 陶凤波;侯宇
主权项 1.一种硅光接收器件,包括:基于n型或p型硅的一衬底;一掺杂区,通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂,该掺杂区在衬底的一面上被掺杂到极浅的深度,从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生;以及形成在衬底上的第一和第二电极,以便在电学上连接到掺杂区。
地址 韩国京畿道