发明名称 | 硅光接收器件 | ||
摘要 | 提供一种硅光接收器件。在该器件中,一衬底基于n型或p型硅;通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂,使一掺杂区在衬底的一面上被极浅地掺杂,从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生。第一和第二电极形成在衬底上以便在电学上连接到掺杂区。由于在硅衬底上的极浅掺杂区,量子局限效应产生于p-n结中。由于量子局限效应,即使硅被用作半导体材料,该硅光接收器件的量子效率也远高于常规太阳能电池的量子效率。该硅光接收器件还可被形成为能够吸收特定或大的波长谱带的光,并可被用作太阳能电池。 | ||
申请公布号 | CN1618132A | 申请公布日期 | 2005.05.18 |
申请号 | CN02827874.7 | 申请日期 | 2002.10.16 |
申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李银京;崔秉龙;金俊永 |
分类号 | H01L31/10;H01L31/04 | 主分类号 | H01L31/10 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
主权项 | 1.一种硅光接收器件,包括:基于n型或p型硅的一衬底;一掺杂区,通过使用与衬底的掺杂剂类型相反类型的掺杂剂,该掺杂区在衬底的一面上被掺杂到极浅的深度,从而使对于波长在100至1100nm的光的光电转换效应由衬底p-n结中的量子局限效应产生;以及形成在衬底上的第一和第二电极,以便在电学上连接到掺杂区。 | ||
地址 | 韩国京畿道 |