在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构

摘要

一种覆盖晶体管栅极叠层的侧壁和沿晶体管栅极叠层的底部的衬底的一部分的抗蚀刻衬里。该衬里防止在栅极叠层的侧壁上形成可能引起电短路的硅化物，并在晶体管栅极叠层的底部的衬底中的源极和漏极区中确定硅化物形成的位置。该衬里还覆盖电阻器栅极叠层，防止在电阻器栅极叠层中或附近形成硅化物。

主权项

1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供在衬底表面上具有栅极叠层的衬底；在栅极叠层上形成抗蚀刻衬里；在衬里上沿栅极叠层的侧壁形成隔离物；从没有被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中去掉衬里，并在被隔离物覆盖的衬底和栅极叠层的区域中保留衬里；以及在没有被衬里覆盖的衬底和栅极叠层的区域中形成导电材料。