发明名称 |
半导体制造装置和图案形成方法 |
摘要 |
一种半导体制造装置包括:液体供给部分,用于将液体供至所述平台上,所述平台用于保持芯片,抗蚀膜形成在芯片上;曝光部分,所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜;以及去除部分,用于从液体中去除包括在所述液体中的气体。这样,已经将气体去除的液体被设置在抗蚀膜上,因此包括在液体中的泡沫或者在曝光期间形成的泡沫能被去除。由此,诸如衍射异常等曝光异常能被防止,从而形成形状良好的抗蚀图案。 |
申请公布号 |
CN1617306A |
申请公布日期 |
2005.05.18 |
申请号 |
CN200410092387.4 |
申请日期 |
2004.11.10 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
远藤政孝;笹子胜 |
分类号 |
H01L21/30;H01L21/027;G03F7/00 |
主分类号 |
H01L21/30 |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 |
代理人 |
王霞 |
主权项 |
1.一种半导体制造装置,包括:平台,所述平台具有其上形成抗蚀膜的衬底;液体供给部分,用于将液体供至所述平台上;曝光部分,所述曝光部分利用设置在所述抗蚀膜上的所述液体、利用通过掩模的曝光用光来照射所述抗蚀膜;以及去除单元,用于去除包括在所述液体中的气体。 |
地址 |
日本大阪府 |