| 摘要 |
特别于其一包括含有有机化合物或无机化合物之层的发光元件系由一薄膜电晶体(TFT)所驱动之情况下，需要一具有至少两个安装有一驱动TFT之电晶体的结构，以防一切换TFT之ON电流的不规则性被提供至一像素区。因此，由于大型基底之频繁使用，所以用以制造半导体元件之结构及程序的简化变为一急迫的工作。依据本发明，在其一源极区及一汲极区被形成之后，一作用为一通道保护膜之绝缘膜被形成以覆盖一作用为通道区之部分，接着，一岛状半导体膜被形成。因此，可仅藉由使用一金属遮罩以制造一半导体元件而不形成一抗蚀剂遮罩，因而可简化制程。 |
