快闪记忆体结构及其制作方法

摘要

首先提供一具有一P型浅掺杂区之基底，并于基底表面形成至少一堆叠闸极，且堆叠闸极包含有一隧穿氧化层、一浮动闸极、一ONO层及一控制闸极，接着于堆叠闸极侧边之基底中形成一P型深掺杂区，随后氧化浮动闸极与控制闸极之边缘部分，以形成一圆弧型绝缘阻障层，最后再于堆叠闸极两侧之基底中形成一汲极与一源极。