形成金属层间介电层之方法及半导体装置

摘要

本发明揭示一种形成金属层间介电(intermetal dielectric, IMD)层之方法。首先，在一基底上形成一第一介电层。接着，于一既定温度下，对第一介电层实施一第一电浆熟化(plasma curing)处理。之后，在第一介电层上形成一第二介电层。最后，于一相对高温下，对第二介电层实施一第二电浆熟化处理。另外，亦可藉由化学调整将第二介电层直接形成于第一介电层之上而不对第一介电层实施电浆熟化处理，之后再对第二介电层实施电浆熟化处理。