半导体发光元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种提高出光效率的半导体发光元件。在蓝宝石基板SSB上形成由GaN构成的基底层ALY，在基底层ALY上形成由表面为凹凸状的GaN构成的转印层TLY，在转印层TLY的凹凸状表面上形成光吸收层BLY，在光吸收层BLY上形成平坦化层CLY和由至少具有活性层的发光结构层DLY构成的生长层4，在生长层4侧安装支撑基板2。从蓝宝石基板SSB的背面侧照射YAG雷射的两倍波(波长532nm)的光，将光吸收层BLY分解，剥离蓝宝石基板SSB，从而使表面为凹凸状的平坦化层CLY作为出光面露出。从生长层4内的活性层产生的光藉由具有凹凸状表面的平坦化层CLY向元件外部放射，提高出光效率。