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发明名称 METHOD FOR FORMING A SHALLOW TRENCH ISOLATION USING OF POROUS SILICON EVAPORATION
摘要
申请公布号 KR100489534(B1) 申请公布日期 2005.05.16
申请号 KR20020054200 申请日期 2002.09.09
申请人 发明人
分类号 H01L21/762;(IPC1-7):H01L21/762 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人
主权项
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