| 摘要 |
<p>Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur unter Verwendung eines ungebrannten rezyklierten Rohmaterials (Alt-Material aus dem Herstellungsprozeß einer Wabenstruktur) zur Verfügung (das im Fall von SiC ein gebranntes Material sein kann), wobei die sich ergebende Wabenstruktur einen niedrigen thermischen Ausdehnungskoeffizienten und eine Porosität ähnlich jener der Wabenstrukturen aufweist, welche unter Verwendung inhärenter Startrohmaterialien erhalten wurde. Die Ausbeute der Wabenstruktur kann verbessert und die Herstellungskosten können bemerkenswert verringert werden. Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine Wabenstruktur zur Verfügung. DOLLAR A Das heißt, die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung einer Wabenstruktur unter Verwendung eines rezyklisierten Materials als ein Teil eines Startmaterials, das aus einem Alt-Material rezykliert wurde, welches in dem Herstellungsprozeß der Wabenstruktur erzeugt wurde, und von den Startmaterialien für die Wabenstruktur herstammt, zur Verfügung. Ferner stellt die vorliegende Erfindung eine Wabenstruktur zur Verfügung. Das rezyklierte Rohmaterial wird so gemahlen, daß es einen mittleren Teilchendurchmesser von 10 bis 2000 mum aufweist und 10 oder weniger Gewichts-% an Teilchen mit einem mittleren Teilchendurchmesser von 2800 mum oder mehr aufweist.</p> |
