发明名称 离子植入设备(Ion Implanter)之离子束(Ion Beam)截止器结构改良
摘要 本创作提供一种离子植入设备之离子束截止器(beam dump),其系包括一底座、一固定环及一中心座,其中,底座由一环状本体及一平板组成,且底座设有一贯穿的开孔,底座开孔的内壁上设有固定环,底座与固定环系为紧配合(Tight Fit),固定环具有一凹陷部分,另有崁入固定环之中心座具有一凸状部分,使中心座之凸状部分崁入固定环之凹陷部分时能密合。本创作提供一种可拆卸的离子束截止器,可有效减少安装及拆卸的时间,达成快速拆装之功效,使操作者使用上更加便利。
申请公布号 TWM264643 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW093217091 申请日期 2004.10.27
申请人 辛巳科技股份有限公司 发明人 罗思颖
分类号 H01L21/265 主分类号 H01L21/265
代理机构 代理人 林火泉 台北市大安区忠孝东路4段311号12楼之1
主权项 1.一离子植入设备之离子束截止器结构改良,其包括:一底座,由一环状本体及一平板组成,其系设有一贯穿的开孔;一固定环,其设置于该底座之开孔的内壁;以及一中心座,其系崁入该固定环内,以与该固定环固定在一起。2.如申请专利范围第1项所述之离子植入设备之离子束截止器结构改良,其中,该底座为铝材质者。3.如申请专利范围第1项所述之离子植入设备之离子束截止器结构改良,其中,该固定环及该中心座为高纯度密度的石墨材质者。4.如申请专利范围第1项所述之离子植入设备之离子束截止器结构改良,其中,该固定环与该中心座之固定方式系利用该中心座崁入该固定环之后贴合,且利用复数螺丝锁入该中心座及该固定环以固定。5.如申请专利范围第1项所述之离子植入设备之离子束截止器结构改良,其中,该中心座形状为具有至少一凸状部分,该固定环形状为至少一凹陷部分,使该中心座之凸状部分崁入该固定环之凹陷部分时能密合。6.如申请专利范围第1项所述之离子植入设备之离子束截止器结构改良,其中,该底座与固定环紧配合在一起。图式简单说明:第一图为习知技艺之结构立体图。第二图为本创作之结构立体图。
地址 新竹市食品路57号5楼