| 主权项 |
1.一种半导体晶粒承载基板,包括:一金属基板,其系包括一金属板,在该金属板之上表面依序覆设有一上贴合胶层及一上导电层,且在该金属板之下表面依序覆设有一下贴合胶层及一下导电层;以及复数导通孔,每一该导通孔系贯穿该金属基板,在每一该导通孔之孔壁上依序覆设有一保护层及一通孔导电层,且该通孔导电层之上、下部系分别与该上、下导电层相接触。2.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其中,该金属板系为铝板。3.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其中,该保护层系由环氧树脂系之树脂所组成。4.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其中,该上、下导电层系各设有电路布局。5.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其中,该上、下导电层之材料为铜。6.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其中,该通孔导电层之材料为铜。7.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒之承载基板,其中,该等通孔导电层系以电镀方式形成。8.如申请专利范围第1项所述之半导体晶粒承载基板,其系作为发光二极体晶粒之承载基板。9.一种半导体晶粒承载基板之制造方法,包括下列步骤:提供一金属基板,该金属基板包括一金属板,在该金属板之上表面依序覆设有一上贴合胶层及一上导电层,且在该金属板之下表面依序覆设有一下贴合胶层及一下导电层;进行第一次钻孔作业,系对该金属基板钻孔,以形成复数第一通孔;将该等第一通孔填满而形成复数塞柱;进行第二次钻孔作业,系对该等塞柱钻孔,以形成复数第二通孔,且该第二通孔之孔径系较该第一通孔小,使每一该第一通孔之孔壁上各形成有一保护层;以及形成复数通孔导电层于该等第二通孔之孔壁上,以使每一该通孔导电层之上、下部分别与该上、下导电层相接触。10.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该金属板系为铝板。11.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,填满该等第一通孔所使用之材料系为环氧树脂系之油墨。12.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在进行第二次钻孔之步骤中,系使用高硬度之钻孔垫板。13.如申请专利范围第12项所述之制造方法,其中,该钻孔垫板为酚醛树脂材质者。14.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在进行第二次钻孔之步骤中,进刀速为1.4至1.6m/s,转速为35至45krpm,退刀速为24至26m/s。15.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,形成该等通孔导电层之步骤系使用电镀方式。16.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该上、下导电层之材料为铜。17.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,该通孔导电层之材料为铜。18.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在形成该等通孔导电层之后,更包括一步骤,系将该上、下导电层进行线路成型的作业,以制作出电路布局。19.如申请专利范围第9项所述之制造方法,其中,在形成该等通孔导电层之后,更包括一表面处理之步骤。20.如申请专利范围第19项所述之制造方法,其中,该表面处理之步骤所使用之处理方式系选自电镀镍金及化镍浸金。图式简单说明:第一图为习知具散热结构之发光二极体装置示意图。第二图至第九图为本发明于制作半导体晶粒承载基板的各步骤构造剖视图。第十图为本发明之承载基板使用做为LED晶粒的载板之结构示意图。 |
