| 主权项 |
1.一种发光二极体之制造方法,其步骤包含:提供一成长基板;于该成长基板上成长一半导体晶片;将一金属基板与该半导体晶片以一金属黏合技术进行黏合,该金属黏合技术系于该半导体晶片上镀上一金属黏贴层,并藉由该金属黏贴层将该金属基板与该半导体晶片进行黏合,其中该金属黏贴层系为金铍、金锡、金锗、金镍、或金锌薄膜;去除该成长基板;以及分别形成一第一电极及一第二电极于该半导体晶片之下及该金属基板之上。2.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该成长基板系为砷化镓基板。3.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该半导体晶片系为一发光二极体晶片。4.如申请专利范围第3项所述之制造方法,其中该发光二极体晶片系由磷化铝镓铟之四元材料所组成。5.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属黏合技术之黏合温度系为300℃至900℃。6.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属黏合技术之黏合压力系为60kg/cm2至600kg/cm2。7.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一电极及该第二电极系分别为一P型电极及一N型电极。8.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该第一电极及该第二电极系分别为一N型电极及一P型电极。9.如申请专利范围第1项所述之制造方法,其中该金属基板之材质系为钼、钼铜合金、钨、钨铜合金、铬、及铬铜合金其中之一。10.一种发光二极体结构,其包含:一半导体晶片,系用以发光;一金属基板,系利用一金属黏合技术形成于该半导体晶片上,该金属黏合技术系于该半导体晶片上镀上一金属黏贴层,并藉由该金属黏贴层将该金属基板与该半导体晶片进行黏合,其中该金属黏贴层系为金铍、金锡、金锗、金镍、或金锌薄膜;以及一第一电极及一第二电极,系分别形成于该半导体晶片之下及该金属基板之上,用以提供一电流至该半导体晶片。11.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该半导体晶片系为一发光二极体晶片。12.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该发光二极体晶片系由磷化铝镓铟之四元材料所组成。13.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该金属黏合技术之黏合温度系为300℃至900℃。14.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该金属黏合技术之黏合压力系为60kg/cm2至600kg/cm2。15.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一电极及该第二电极系分别为一P型电极及一N型电极。16.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该第一电极及该第二电极系分别为一N型电极及一P型电极。17.如申请专利范围第10项所述之结构,其中该金属基板之材质系为钼、钼铜合金、钨、钨铜合金、铬、及铬铜合金其中之一。图式简单说明:第一图(a)(b)(c)(d):其系本案一较佳实施例之发光二极体之制造方法示意图。 |
