半导体制造装置用陶瓷加热器

摘要

本发明系提供一种半导体制造装置用陶瓷加热器，其系可抑制陶瓷加热器的形状(特别是常温时厚度方向之外径)变动，并提升加热处理时之晶圆表面之温度均匀性。本发明之半导体制造装置用陶瓷加热器1系具有位于陶瓷基板2a、2b表面或内部之电阻发热体3，未加热时，陶瓷加热器厚度方向之最大外径与最小外径之差系设定为晶圆载置面之平均外径的0.8%以下。陶瓷加热器1亦可进一步于陶瓷基板2a、2b之表面或内部配置电浆电极。又，陶瓷基板2a、2b系由氮化铝、氮化矽、氮氧化铝或碳化矽之中至少选择一种为佳。

主权项

1.一种半导体制造装置用陶瓷加热器,其特征为具 有位于陶瓷基板表面或内部之电阻发热体,未加热 时,该陶瓷加热器厚度方向之最大外径与最小外径 之差系设定为晶圆载置面之平均外径的0.8%以下。 2.如申请专利范围第1项之半导体制造装置用陶瓷 加热器,其中前述陶瓷基板系由氮化铝、氮化矽、 氮氧化铝、碳化矽中至少选择一种所构成。 3.如申请专利范围第1或2项之半导体制造装置用陶 瓷加热器,其中前述电阻发热体系由钨、钼、铂、 钯、银、镍、铬中至少选择一种所构成。 4.如申请专利范围第1或2项之半导体制造装置用陶 瓷加热器,其中前述陶瓷基板亦可进一步于表面或 内部配置电浆电极。 5.如申请专利范围第3项之半导体制造装置用陶瓷 加热器,其中前述陶瓷基板亦可进一步于表面或内 部配置电浆电极。 图式简单说明: 图1系概略表示本发明之陶瓷加热器之一具体例之 剖面图。 图2系概略表示本发明之陶瓷加热器之其他之具体 例之剖面图。