发光二极管及其制造方法

摘要

本发明涉及一种高亮度发光二极管及其制造方法，特别涉及一种具有选择性高掺杂低电阻层的磷化铝镓铟的发光二极管。此选择性高掺杂低电阻层可以现有的磊晶技术成长，故可进行大批量生产，具有产业上的价值。

主权项

1、一种发光二极管，包括：一基板，掺入第一种导电型杂质；第一限制层，形成于该基板之上且掺入第一种导电型杂质；一活性层，形成于该第一限制层之上；第二限制层，形成于该活性层之上且掺入第二种导电型杂质；一选择性高掺杂低电阻层，选择性地形成于部分第二限制层之上，且掺入第二种导电型杂质，所述高掺杂低电阻层的电阻值比磷化铝镓铟的电阻值低，且其掺杂浓度大于1×1018cm-3：一低吸光性电流分散层，形成于该选择性高掺杂低电阻层和部分第二限制层之上，且掺入第二种导电型杂质；第一金属电极，形成于所述基板下方；以及第二金属电极，形成于所述低吸光性电流分散层之上；其中所述第一限制层、活性层及第二限制层均由磷化铝镓铟制成；由此，当一电压施加于第二金属电极时，电流会由第二金属电极流向两侧的选择性高掺杂低电阻层，有效地使电流分散，而不致产生电流拥塞的现象。