发明名称 压电陶瓷及其制造方法以及压电元件
摘要 本发明提供具有大的压电应变常数,而且在低温下可以烧成的压电陶瓷及压电元件。其是以Pb<SUB>A</SUB>[(Mg<SUB>1/3</SUB>Nb<SUB>2/3</SUB>)<SUB>a</SUB>(Zn<SUB>1/3</SUB>Nb<SUB>2/3</SUB>)<SUB>b</SUB>Ti<SUB>c</SUB>Zr<SUB>d</SUB>]O<SUB>3</SUB>(其中,a+b+c+d=1,0.99≤A≤1.01,0.15≤a+b≤0.5,0.05≤b≤0.25,0.2≤c≤0.5,0.15≤d≤0.6)作为主成份,对于主成份1mol的质量,含有作为第1辅助成份是从铁、钴、镍及铜组成群中选择至少1种,换算成氧化物后为0.01~0.8质量%。由此,可以得到大的压电应变常数,同时可以降低烧成温度。主成份的铅的一部分可以用钙、锶及钡中的至少一种置换。进而,也可以作为第2辅助成份含有锑、铌及钽中的至少一种,对于主成份1mol的质量,换算成氧化物后为0.05~1.0质量%。
申请公布号 CN1200907C 申请公布日期 2005.05.11
申请号 CN02800959.2 申请日期 2002.03.04
申请人 TDK株式会社 发明人 佐佐木诚志
分类号 C04B35/49;H01L41/187 主分类号 C04B35/49
代理机构 北京三幸商标专利事务所 代理人 刘激扬
主权项 1.一种压电陶瓷,其特征是将化学式13表示的氧化物作为主成份,对于此主成份1mol的质量,含有作为第1辅助成份是从铁、钴、镍及铜组成群中选择至少1种,换算成氧化物Fe2O3、CoO、NiO、CuO后为0.01质量%以上0.8质量%以下的范围内,化学式13PbA[(Mg1/3Nb2/3)a(Zn1/3Nb2/3)bTicZrd]O3 式中,A、a、b、c、d是分别满足以下范围的值,即a+b+c+d=1,0.99≤A≤1.01,0.15≤a+b≤0.5,0.05≤b≤0.25,0.2≤c≤0.5,0.15≤d≤0.6。
地址 日本国东京都