合金靶材磁控溅射法制备CoSi<SUB>2</SUB>薄膜的方法

摘要

一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi₂薄膜的方法，用于材料制备技术领域。本发明首先把Co和Si按照CoSi₂化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF₂结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi₂薄膜。本发明可制备具有各种状态的CoSi₂薄膜，薄膜经过处理具有良好的导电性、热稳定性以及低应力水平，同时这种方法生产薄膜能够提高生产效率。

主权项

1、一种合金靶材磁控溅射法制备CoSi2薄膜的方法，其特征在于，首先把Co和Si按照CoSi2化学计量比成分配比，通过真空熔炼制备合金，利用线切割制备符合溅射仪要求的合金靶材，充分利用熔炼炉的电磁搅拌作用，使靶材具有均匀的成分，并且具有标准的立方CaF2结构，然后把靶材装入溅射仪中，在清洗过的基底上制备薄膜，薄膜与靶材成分接近，通过调整功率和溅射速度以及后续处理，制备得到CoSi2薄膜。