| 发明名称 | 液晶显示器件制造方法 | ||
| 摘要 | 液晶显示器件制造方法。揭示了一种包含NH<SUB>3</SUB>、Fe(NO<SUB>3</SUB>)<SUB>3</SUB>、HClO<SUB>4</SUB>以及NH<SUB>4</SUB>F的蚀刻剂以及制造液晶显示器件的方法。通过使用该蚀刻剂形成选通线和像素电极，并且在形成像素电极的工艺中可以同时去除短路棒。因此可以简化制造液晶显示器件的工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN1614483A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN200410057297.1 | 申请日期 | 2004.08.27 |
| 申请人 | LG.菲利浦LCD株式会社 | 发明人 | 崔淳浩 |
| 分类号 | G02F1/136;H01L21/00;G02F1/133 | 主分类号 | G02F1/136 |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人 | 李辉 |
| 主权项 | 1.一种制造液晶显示器件的TFT阵列基板的方法，包括以下步骤：制备一基板；通过使用包含NH3、Fe(NO3)3、HClO4以及NH4F的蚀刻剂在所述基板上形成选通线；在所述选通线上形成绝缘层；在所述绝缘层的一部分上形成半导体层；在所述绝缘层上形成测试线以及在所述半导体层上形成源极和漏极；形成具有钝化孔的钝化层以曝露所述基板上的所述选通线的一部分；以及通过施加所述蚀刻剂在所述钝化层上形成像素电极。 | ||
| 地址 | 韩国汉城 | ||