制备功率整流器装置以改变操作参数的方法及其制得的装置

摘要

本发明涉及一种半导体整流装置(图1)，其可模拟一低正向电压降萧特基(Schottky)二极管的特性，且其能够具有由小于1A到大于1000A并具有可调整的击穿电压的电流的电气特性。该制备方法具有操作参数均匀性及可控制性、高良率以及可任选形成多个导电栓塞(130)的区域。在导环及导电拴塞之间为多个源极/漏极(40)、栅极(36)及通道元件(40)，其可配合底层的基板作用来形成MOS晶体管。通道区域是藉由栅氧化物(及栅电极)的光致抗蚀剂掩模所界定的，并经由暴露的栅极以植入离子来形成该通道区域。该源极/漏极(例如源极)可藉由离子植入或来自掺杂的多晶硅层的向外扩散而形成。

主权项

1、一种制造半导体整流器装置的方法，包括以下步骤：a)提供第一导电形式并具有相对的主要表面的半导体基板，b)选择性地以具有第二导电形式的掺杂物掺杂第一主要表面中的区域，以形成环绕一装置区域的第二导电形式的导环，c)在该装置区域上形成氧化硅层，d)在该氧化硅层上形成掺杂的多晶硅层，e)选择性地在该掺杂的多晶硅层的区域上形成掺杂物掩模材料，该多晶硅层的区域中形成有装置通道区域，f)自该装置区域中除掉暴露的掺杂多晶硅层及其底下的氧化硅层，藉此形成在该掺杂掩模之下、在栅极氧化硅层之上的栅电极，g)以第一导电形式的掺杂物来掺杂暴露的第一主要表面，以形成源极/漏极区域，该掺杂物的量比步骤b)中掺杂物的量小一个数量级，h)蚀刻所述掺杂物掩模以暴露所述栅电极的周边部份，i)以第二导电形式的掺杂物来掺杂位于所述栅电极的暴露的周边部份之下的主要表面，以形成第二导电形式的主体区域和邻接源极/漏极区域的通道区域，j)在所述第一主要表面上形成第一电极，其相互连接所述导环、栅极和源极/漏极区域，以及k)在接触所述基板的第二主要表面上形成第二电极。