发明名称 利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品
摘要 一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法及其产品,在形成金属薄膜电容器之前,先利用铜金属镶嵌制程制作其下的内连线,之后沉积绝缘层和停止层,于绝缘层和停止层中形成开口,依序沉积第一金属层、介电层和第二金属层,再进行化学机械研磨,以停止层作为研磨终点,将开口外多余的第一金属层、介电层和第二金属层磨除,直至暴露出停止层为止,即于开口中形成电容器,具有降低制造内含电容器的积体电路的制造成本和降低电容器区域和非电容器区域之间的高度落差的功效。
申请公布号 CN1201386C 申请公布日期 2005.05.11
申请号 CN01144741.9 申请日期 2001.12.24
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 李世达;徐震球
分类号 H01L21/70;H01L21/283;H01L21/314;H01L21/3205 主分类号 H01L21/70
代理机构 北京三友知识产权代理有限公司 代理人 刘朝华
主权项 1、一种利用镶嵌制程形成金属电容器的方法,其特征是:它至少包括如下步骤:(1)提供第一绝缘层;(2)于该第一绝缘层中形成第一铜导线和第二铜导线;(3)至少于该第一和第二铜导线上形成第一密封层;(4)于该第一密封层上形成第二绝缘层;(5)于该第二绝缘层上形成一停止层;(6)于该停止层、第二绝缘层和第一密封层中形成开口暴露出该第一铜导线;(7)于该开口中顺应性形成第一金属层;(8)于该第一金属层上顺应性形成介电层;(9)于该介电层上顺应性形成第二金属层;(10)利用化学机械研磨法移除该第一金属层、介电层和第二金属层至暴露出该停止层,并配合该停止层做为研磨终止判断;(11)于该停止层和第二金属层上形成第三绝缘层;(12)于该第三绝缘层、停止层、第二绝缘层和第一密封层中形成多数个双镶嵌图案,该双镶嵌图案包含多数个沟槽和多数个介层窗孔;(13)于该沟槽中形成第三铜导线和第四铜导线,以及于该介层窗孔中形成第一铜插塞和第二铜插塞,其中该第二金属层经由该第一铜插塞与该第三铜导线电性连接,该第四铜导线经由该第二铜插塞与该第二铜导线电性连接;(14)至少于该第三和第四铜导线上形成第二密封层。
地址 台湾省新竹科学工业园区