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发明名称 METHOD FOR FABRICATION RECESSED CHANNEL OF TRANSISTOR
摘要
申请公布号 KR20050043424(A) 申请公布日期 2005.05.11
申请号 KR20030078326 申请日期 2003.11.06
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHO, HYE JIN;CHOE, JEONG DONG;KIM, SUNG MIN;LEE, SHIN AE;PARK, DONG GUN;YUN, EUN JUNG
分类号 H01L21/336;(IPC1-7):H01L21/336 主分类号 H01L21/336
代理机构 代理人
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