| 发明名称 | 清洗气体以及清洗方法 | ||
| 摘要 | 一种清洗气体以及清洗方法，是通式CvHxFyOz(式中，v为1～5的整数，x为0或者1～3的整数，y为1以上的整数，z为0或1)表示的氟碳气体与氧气的混合气体，在其中添加占总气体量10％以下的三氟化氮、氟气、氧化亚氮、氮气、稀有气体中至少一种气体。其目的是提供一种含有氟碳分子的清洗气体，其可以提高蚀刻反应速度，提高清洗效果。 | ||
| 申请公布号 | CN1614092A | 申请公布日期 | 2005.05.11 |
| 申请号 | CN200410058428.8 | 申请日期 | 2004.08.11 |
| 申请人 | 日本酸素株式会社 | 发明人 | 伊崎隆一郎;神力学 |
| 分类号 | C23F1/12 | 主分类号 | C23F1/12 |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人 | 王学强 |
| 主权项 | 1.一种清洗气体，其用于除去半导体膜形成装置内部堆积物，其特征在于在用通式CvHxFyOz(式中，v为1～5的整数，x为0或者1～3的整数，y为1以上的整数，z为0或1)表示的氟碳气体与氧气的混合气体中，添加占总气体量10％以下的三氟化氮、氟气、氧化亚氮、氮气、稀有气体中至少一种气体。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||