| 发明名称 | 第Ⅲ族氮化物晶体及其制备方法以及制备第Ⅲ族氮化物晶体的设备 | ||
| 摘要 | 本发明提供了具有大范围晶体生长速率的第III族氮化物晶体，它们的制备方法，和制备这种第III族氮化物晶体的设备。制备方法包括：在反应容器(21)中，围绕晶种(2)形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体(1)的熔体形成步骤；和将含氮物质(3)供给熔体(1)以便在晶种(2)上生长第III族氮化物晶体(4)的晶体生长步骤；该方法的特征在于，控制温度，以便在晶体生长步骤中，熔体(1)的温度从熔体(1)与含氮物质(3)之间的界面(13)朝熔体(1)与晶种(2)之间的界面(12)或熔体(1)与已生长在晶种(2)上的第III族氮化物晶体(4)之间的界面(14)递降。 | ||
| 申请公布号 | CN1612295A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN200410089673.5 | 申请日期 | 2004.10.29 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 弘田龙;中畑成二 |
| 分类号 | H01L21/208;C30B9/12;C30B9/00;C30B29/38;C30B29/40;H01L33/00;H01S5/323;H01S5/343 | 主分类号 | H01L21/208 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 陈平 |
| 主权项 | 1.一种制备第III族氮化物晶体的方法，所述方法包括在反应容器中，围绕晶种形成包含至少一种第III族元素和一种催化剂的熔体的熔体形成步骤，和将含氮物质供给所述熔体以便在所述晶种上生长第III族氮化物晶体的晶体生长步骤；所述第III族氮化物晶体的制备方法的特征在于，在所述晶体生长步骤中，控制温度，以便所述熔体的温度从所述熔体与所述含氮物质之间的界面朝所述熔体与所述晶种之间的界面或所述熔体与已生长在晶种上的第III族氮化物晶体之间的界面递降。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||