| 发明名称 | 高频功率放大器 | ||
| 摘要 | 一种紧凑和低成本的高频功率放大器，它包括GaAs异质结双极晶体管(HBT)但在传送频带内具有低噪声级。在本发明的高频功率放大器中，芯片电容器在一端经键合线(B1)连接到上游级偏置电路(107)，并在另一端接地。而且，芯片电感器经键合线(B2)连接到高频信号放大HBT 101的基极。在本发明的高频功率放大器中，芯片电容器使在上游级偏置电路(107)内产生的噪声流到地中，由此减小了接收频带中的噪声。而且，芯片电感器减小了由高频信号流到地中引起的高频信号的功率损失。 | ||
| 申请公布号 | CN1612465A | 申请公布日期 | 2005.05.04 |
| 申请号 | CN200410085040.7 | 申请日期 | 2004.10.13 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 前田昌宏 |
| 分类号 | H03F1/26;H03F3/20 | 主分类号 | H03F1/26 |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 刘炳胜 |
| 主权项 | 1、一种用于放大高频信号的高频功率放大器，包括：用于放大上述高频信号的高频信号放大晶体管；用于向上述高频信号放大晶体管的基极输送电流的偏置电路；连接在上述高频信号放大晶体管和上述偏置电路之间的电感器；和一端连接在上述偏置电路和上述电感器之间且另一端接地的电容器。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||