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发明名称 MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY WITH REDUCED SWITCHING FIELD
摘要
申请公布号 EP1527455(A2) 申请公布日期 2005.05.04
申请号 EP20030731532 申请日期 2003.06.04
申请人 FREESCALE SEMICONDUCTOR, INC. 发明人 ENGEL, BRADLEY, N.;JANESKY, JASON, ALLEN;RIZZO, NICHOLAS, D.
分类号 G11C11/15;H01F10/00;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/08;(IPC1-7):G11C11/15;G11C11/16 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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