发明名称 |
半导体器件以及制造该器件的方法 |
摘要 |
本发明的目的是减小元件所占据的面积并将多个元件集成在一个有限的面积中,使得传感器元件能够具有较高的输出和较小的尺寸。在本发明中,通过对使用非晶半导体薄膜(典型的是,非晶硅薄膜)的传感器元件的单元化,以及对包括在能够经受诸如焊料回流处理工艺之类安装工艺中的温度的塑料基片上采用具有晶体结构的半导体薄膜(典型的是,多晶硅薄膜)作为有源层的TFT的输出放大电路的单元化,就能够获得较高的输出和小型化。根据本发明,能够获得可抵御弯曲应力的传感器元件。 |
申请公布号 |
CN1612351A |
申请公布日期 |
2005.05.04 |
申请号 |
CN200410083451.2 |
申请日期 |
2004.09.30 |
申请人 |
株式会社半导体能源研究所 |
发明人 |
丸山純矢;高山徹;森末将文;渡邊了介;杉山栄二;岡崎奨;西和夫;小山潤;長多剛;松嵜隆德 |
分类号 |
H01L27/14;H01L21/82 |
主分类号 |
H01L27/14 |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 |
代理人 |
李玲 |
主权项 |
1.一种包含具有光传感器元件和放大电路的芯片的半导体器件,其特征在于:所述光传感器元件包括:第一电极;光电转换层,它包括在所述第一电极上的具有非晶结构的半导体薄膜;和第二电极,它设置在所述光电转换层上,以及其中,所述放大电路包括采用具有晶体结构的半导体薄膜作为有源层使用的TFT。 |
地址 |
日本神奈川县 |