| 发明名称 | 氮化穿隧氧化层的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种氮化穿隧氧化层的形成方法，其系先于半导体基底上形成作为穿隧氧化层之氧化矽层，再进行电浆氮化制程，以于氧化矽层中植入氮原子。接着，进行热趋入制程，以使植入的氮原子扩散至整个氧化矽层中。 | ||
| 申请公布号 | TW200515512 | 申请公布日期 | 2005.05.01 |
| 申请号 | TW092129872 | 申请日期 | 2003.10.28 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司 | 发明人 | 王嗣裕 |
| 分类号 | H01L21/3215;H01L21/324 | 主分类号 | H01L21/3215 |
| 代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行路16号 | ||